SVM n°214 avril 2003
SVM n°214 avril 2003
  • Prix facial : 4 €

  • Parution : n°214 de avril 2003

  • Périodicité : mensuel

  • Editeur : Excelsior Publications

  • Format : (204 x 280) mm

  • Nombre de pages : 202

  • Taille du fichier PDF : 178 Mo

  • Dans ce numéro : virus... prévenir, guérir et éradiquer.

  • Prix de vente (PDF) : gratuit

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l'encyclo de la micro tockage La mémoire Flash portant pas de pièces mécaniques en mouvement, à l'inverse des disques durs, elle est très peu sensible aux chocs et aux vibrations. De plus, elle ne requiert que très peu d'énergie pour fonctionner. Des caractéristiques qui ont rapidement propulsé la mémoire Flash au rang de technologie de stockage portable de référence. Première application, au tout début des années 90, avec l'apparition des cartes au format carte de crédit appelées PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association). Tous les portables intégrèrent alors un ou plusieurs connecteurs permettant d'enficher ces cartes, aujourd'hui appelées PC Card. Seul handicap de ce format : sa taille, qui ne permit pas sa généralisation à tous les équipements informatiques et numériques. C'est en 1994 que la société japonaise Sandisk mettait au point la première génération de minicartes à base de mémoire Flash. De très petites dimensions (43 x 36 x 3,3 mm), ces Compact Flash furent aussitôt adoptées par les fabricants d'appareils photo numériques, permettant ainsi aux utilisateurs d'augmenter la capacité mémoire de leurs boîtiers et, par l'intermédiaire d'un lecteur, de transférer facilement les fichiers images sur leur PC. Face à l'engouement et aux réels avantages apportés par ces minicartes, d'autres constructeurs ont, depuis, mis au point de nouveaux formats. A commencer par Toshiba et Samsung, avec la Smart Media, encore moins volumineuse que la Compact Flash. En 1999, c'est au tour de Sony de créer son procédé et d'équiper tous ses appareils — des PDA aux caméscopes en passant par les petits robots Aibo — de cartes Memory Stick, aux dimensions proches de celles d'une tablette de chewing-gum. Plus récemment, et devant les nouveaux impératifs de stockage, de rapidité d'accès aux données ou de sécurisation de celles-ci, les constructeurs ont décliné leurs technologies propriétaires pour donner naissance à d'autres formats : Multimedia Card, SD Card et le très récent XD Card Picture dédié aux appareils photo d'Olympus et de Fuji. De nouvelles évolutions qui devraient encore un peu plus renforcer la prédominance de la mémoire Flash en matière de stockage et d'échange de données. Philippe Le Vaillant l'encyclo en ligne ette rubrique vous intéresse ? SVM met toutes ses encyclopédies en ligne tir httplisvm,vnunet,fr 160 svm Avril 2003 Comment ça marche, une clé USB Pour expliquer la technologie de la mémoire Flash, nous nous sommes intéressés, comme vous pouvez le voir sur l'écorché cicontre, au fonctionnement d'une clé USB. Car les cartes mémoire de type Compact Flash, par exemple, fonctionnent totalement sur le même principe. Hormis le connecteur, permettant le branchement de la clé à un connecteur USB, une clé est composée de deux parties principales. A gauche, le contrôleur, qui se charge d'acheminer les données et de donner les impulsions électriques nécessaires à la lecture et à l'écriture. A droite, au niveau de la loupe, le bloc de mémoire Flash. Ce dernier est composé d'un réseau de lignes et de colonnes. A chaque intersection est placée une cellule mémoire, prenant la valeur 1 ou 0. Pour augmenter la vitesse d'accès aux données, les cellules sont regrou- pées par blocs de 32 Ko (soit 262 144 cellules ou bits par bloc). Chaque bloc peut ainsi être lu et écrit en même temps avec des valeurs différentes. Pour bien saisir le principe de fonctionnement d'une clé USB, il est nécessaire de s'intéresser de plus près à la mécanique de la mémoire Flash. Elle est basée sur un type de circuit électronique comportant un transistor Cmos (Complementary Metal Oxyde Silicon) pour chacune de ces cellules. Ce transistor est composé de deux blocs de silicium : la grille (l'électrode de contrôle lei)), et le circuit principal, encore appelé circuit drain-source ce, 4. ? et (î). Ces deux régions sont des semi-conducteurs différemment dopés, créant ainsi une zone isolante à leur contact qui limite le passage des électrons dans le circuit principal. Lorsque des électrons supplémentaires
sont acheminés jusqu'à l'électrode de contrôle, le volume de la zone isolante augmente au point d'obstruer totalement le passage des électrons dans le circuit principal. Le courant ne peut plus passer. La mémoire Flash se comporte alors comme un interrupteur. Lors de l'écriture des données, l'interrupteur établit le contact et apporte ou non des électrons à chaque transistor. Pour une réécriture, il est aussi possible de libérer les électrons de la grille permettant un retour à l'état passant du circuit principal. A la lecture, le système ne fait que "voir" l'état bloqué ou passant du circuit principal sans intervenir sur la grille. Il détermine ainsi les 0 et les 1 conservés en mémoire. P.L.V. Ecriture et lecture d'un 0 Pour écrire un 0, le système applique une tension V sur l'électrode de contrôle G Cette impulsion va attirer les électrons de la source Avers l'électrode de stockage M. Lorsque la mémoire Flash n'est plus alimentée, les électrons restent prisonniers de la cellule grâce à l'isolant °dont le volume a augmenté par l'afflux d'électrons. Pour lire un 0, il suffit au système de vérifier que les électrons situés dans l'électrode de stockage gênent le passage des électrons de e vers 0 (ce passage ne peut pas non plus s'effectuer via le substrat (qui n'est pas conducteur). Si c'est le cas, la cellule contient la valeur O. Ecriture et lecture d'un 1 Pour écrire un 1, on applique une tension V sur la source etandis que l'électrode de contrôle @est mise à la masse (tension nulle). Cette opération a pour effet de libérer les électrons prisonniers de l'électrode de stockage l et de les transférer vers la sourcef,tafin que l'électrode de stockage Ose décharge en électrons au profit de la source EN Tout comme dans le cas précédent, la lecture de la valeur contenue dans la cellule mémoire dépend de la possibilité de passage entre la source eet le drain 0 Dans notre cas, comme la source eest chargée en électrons et que l'électrode de stockage Ma été déchargée, le passage de evers Lest possible. La cellule contient donc la valeur 1. c Avril 2003 SVM 161



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