SVM n°200 janvier 2002
SVM n°200 janvier 2002
  • Prix facial : 20 F

  • Parution : n°200 de janvier 2002

  • Périodicité : mensuel

  • Editeur : Excelsior Publications

  • Format : (204 x 280) mm

  • Nombre de pages : 202

  • Taille du fichier PDF : 184 Mo

  • Dans ce numéro : les imprimantes photoréalistes.

  • Prix de vente (PDF) : gratuit

Dans ce numéro...
< Pages précédentes
Pages : 30 - 31  |  Aller à la page   OK
Pages suivantes >
30 31
l'événement
surélévation du canal porte

entrée

sortie

silicium nouveau matériau isolant couche fine d'isolant

A La "Terahertz Transistor Architecture" d'Intel
A gauche, un transistor tel qu'il est conçu aujourd'hui. D'ici à 5 ans (dessin de droite), pour réduire la consommation électrique des processeurs, Intel devrait troquer son ancien matériau isolant contre un nouveau, et insérera, en plus, une fine couche d'isolant à l'oxyde. On voit aussi que le canal sera surélevé au niveau de l'entrée et de la sortie, pour faciliter la circulation des électrons.

on insulator-SOI), et tellement décriée à l'époque par Intel. "Ce n'est pas la même chose!", corriget-on chez Intel. Pas exactement, non... En attendant, IBM peut se targuer d'avoir montré la voie.

Et la bagarre continue...
D'ailleurs, la guerre ne fait que commencer sur le thème de l'ultrahaute puissance. Avant l'été, IBM avait annoncé un transistor "silicium germanium" qui commutait à une vitesse de 210 GHz, soit 35 % plus rapidement que ceux existants, et ceci grâce à une technologie d'altération de la couche de silicium. "La recherche de la haute performance et une dépense d'énergie minimum sont les deux chevaux de bataille de l'avenir", indique-t-on chez IBM Microelectronics. Pour Aydan Kelly, manager des centres de design, "La clé de la puissance, c'est la miniaturisation des transistors. Mais nous devons radicalement changer la conception et les matériaux des transistors, sinon ils seront tellement petits qu'ils ne pourront plus fonctionner." Pour y arriver, IBM a choisi une autre voie que celle d'Intel: créer une double porte (double gate) enveloppant, telle une pince, le canal de transport de l'électricité du transistor, et ajouter une couche isolante (technologie SOI précédemment décrite). "La porte contrôle le flux de l'électricité à travers le transistor. Mais, alors que les transistors se font de plus en plus petits, il devient difficile pour une seule porte de contrôler le passage de l'état 'on' à l'état 'off' du transistor. Or, ce passage doit être aussi

rapide que possible, si on veut gagner en performance. D'où la nécessité de la double porte", explique IBM dans un communiqué. Lobjectif, c'est d'installer des transistors à double porte d'ici à 2006. Et d'atteindre des vitesses de 2 térahertz pour chaque transistor monté. Toujours plus fort, AMD annonce le transistor le plus rapide du monde: un tritérahertz, capable de "switcher" plus de 3000 milliards de fois par seconde; il sera gravé à 0,03 micron, et devrait être disponible en 2009! Un démenti à ceux qui pensaient qu'AMD avait abdiqué dans la course à la puissance. Mais aurons-nous seulement l'utilité de toute cette puissance ? Aucun doute pour les fabricants,

qui avancent les besoins toujours plus grands des applications multimédias, comme la reconnaissance vocale, la traduction instantanée, la visioconférence. S'ajoute aussi, pour les industriels, la nécessité de se positionner sur un marché très prometteur : celui des appareils numériques de poche et sans fil. Amélioration de la durée de vie des batteries, possibilité de faire des périphériques plus petits et plus puissants sont, en effet, des problématiques bien connues du monde mobile. Intel espère que, dans les années à venir, un tiers de ses revenus seront générés par les produits de communication, comme les téléphones mobiles...
Delphine Sabattier

numéro200
.1.

Il y a 2 ans dans svm
Le dernier palier de puissance à peine sauté, et déjà la Rédaction de SVM s'interrogeait sur le bien-fondé de toute cette puissance... Mais seulement après s'être laissée griser par les nouveaux engins...

SVM
premet Pennon,
CARTES ML''''

ee

-r _

La carte mitres» -votre mkro

En route pour les 1 000 MHz! A les en croire, Intel et AMD ne seraient en effet pas loin du but. Notamment, cette année devrait les voir franchir avec Cyrix, une étape importante : l'abaissement de la finesse de gravure des puces de 0,25 à 0,18 micron. En parallèle, chacun cherche à améliorer le coeur de ses processeurs en dopant leur capacité de calcul. Résultat : dans les douze à dix-huit mois qui viennent, il y a fort à parier que les premiers PC à 1 GHz (et plus) verront le jour.

30

svm Janvier 2002

TRADUCTION AUTOMATIQUE

Pour l'anglais, l'espagnol, l'allemand, vous pouvez compter sur la qualité de traduction de Systran !
TRADUCTION AUTOMATIQUE

TRADUCTION AUTOMATII

TIUDOCT" AUTOMATIQUE

TRADUCTION AUTOMATIQU

TRADOCT" AUTOMallOtIE

TRADUCTION AUTOMATIQUE

d

SYSTR
=DU= r" Le meilleur gui
ALLEMAND FR

SYSTRA â SYST
FRAN A A FRAN MS / ESPAGNOL GNOL / FRAN AIS

Le meilleur de la technologie

Le meilleur de la technologie
Ri

b

Ird in

de la technologie pour des traductions de qualité

(e
41.1 SYSTRAN

pour des traductions de qualité

pour des
A

traductions lie! de qualité
ç

SYSTRAN

MEM

SYSTRAN

SYSTRAN

eader de la traduction automatique depuis plus de 30 ans, Systran a été longtemps disponible uniquement sur les grands systèmes informatiques, seuls capables de tirer parti de ses immenses dictionnaires et de la précision de ses algorithmes linguistiques. Aussi seuls des utilisateurs pouvant se connecter à ses machines, comme la Communauté Européenne ou la Nasa, pouvaient bénéficier de la qualité Systran. La montée en puissance des processeurs équipant les micro-ordinateurs rendent désormais accessibles ces caractéristiques sur PC. Cette transition s'accompagne de perfections afin d'adapter Systran à la façon de travailler dans l'environnement bureautique et sur Internet. Qualité, puissance et souplesse sont donc désormais les maîtres-mots qui font de Systran la solution professionnelle par excellence de traduction automatique sur micro-ordinateur.

UCTION
Grand Bilingue
AFFAIRES JURIDIQUE INFORMATIQUE
201000mbitaqmill

NativeEnglish
Pour un anglais précis et sans faute, NativeEnglish regroupe un correcteur munifonctions de l'anglais (orthographe, grammaire, style) conçu pour les français rédigeant en anglais, un dictionnaire bilingue Hachette-Oxford et un dictionnaire anglais Oxford.

Routledge Technique
Le dictionnaire
ilortareire. I robril Irrholiral Dioiemar, 1. lionmain. In per agmlan

Une collection de dictionnaires de traduction spécialisés (Informatique, Juridique et Economique, Affaires) couvrant en profon-

bilingue de référence de tout ingénieur ayant à travailler en anglais. Plus de

deur les thèmes traités grâce à la précision et au nombre des termes recensés et par leur richesse en expressions.

200.000 entrées couvrant environ 70 domaines, parmi lesquels : Construction, Chimie, Electricité, Electronique,
1.dimo ..11% 1 géntsia •••,. Iwo !a

Géologie, Mécanique, Optique, Physique...
Je suis : P utilisateur revendeur

Je désire recevoir une documentation gratuite sur : u Systran Nom, Prénom Fonction Adresse Code postal Ville Fax Société

E Grand Bilingue

E NativeEnglish

Routledge Technique

Pil eete ie i

Tél.

MYSOFT - 129 BD DE SÉBASTOPOL - 75002 PARIS - TÉL. : 01 40 13 07 28 - FAX : 01 40 13 07 29 - WEB : www.m soft.fr




Autres parutions de ce magazine  voir tous les numéros


Liens vers cette page
Couverture seule :


Couverture avec texte parution au-dessus :


Couverture avec texte parution en dessous :


SVM numéro 200 janvier 2002 Page 1SVM numéro 200 janvier 2002 Page 2-3SVM numéro 200 janvier 2002 Page 4-5SVM numéro 200 janvier 2002 Page 6-7SVM numéro 200 janvier 2002 Page 8-9SVM numéro 200 janvier 2002 Page 10-11SVM numéro 200 janvier 2002 Page 12-13SVM numéro 200 janvier 2002 Page 14-15SVM numéro 200 janvier 2002 Page 16-17SVM numéro 200 janvier 2002 Page 18-19SVM numéro 200 janvier 2002 Page 20-21SVM numéro 200 janvier 2002 Page 22-23SVM numéro 200 janvier 2002 Page 24-25SVM numéro 200 janvier 2002 Page 26-27SVM numéro 200 janvier 2002 Page 28-29SVM numéro 200 janvier 2002 Page 30-31SVM numéro 200 janvier 2002 Page 32-33SVM numéro 200 janvier 2002 Page 34-35SVM numéro 200 janvier 2002 Page 36-37SVM numéro 200 janvier 2002 Page 38-39SVM numéro 200 janvier 2002 Page 40-41SVM numéro 200 janvier 2002 Page 42-43SVM numéro 200 janvier 2002 Page 44-45SVM numéro 200 janvier 2002 Page 46-47SVM numéro 200 janvier 2002 Page 48-49SVM numéro 200 janvier 2002 Page 50-51SVM numéro 200 janvier 2002 Page 52-53SVM numéro 200 janvier 2002 Page 54-55SVM numéro 200 janvier 2002 Page 56-57SVM numéro 200 janvier 2002 Page 58-59SVM numéro 200 janvier 2002 Page 60-61SVM numéro 200 janvier 2002 Page 62-63SVM numéro 200 janvier 2002 Page 64-65SVM numéro 200 janvier 2002 Page 66-67SVM numéro 200 janvier 2002 Page 68-69SVM numéro 200 janvier 2002 Page 70-71SVM numéro 200 janvier 2002 Page 72-73SVM numéro 200 janvier 2002 Page 74-75SVM numéro 200 janvier 2002 Page 76-77SVM numéro 200 janvier 2002 Page 78-79SVM numéro 200 janvier 2002 Page 80-81SVM numéro 200 janvier 2002 Page 82-83SVM numéro 200 janvier 2002 Page 84-85SVM numéro 200 janvier 2002 Page 86-87SVM numéro 200 janvier 2002 Page 88-89SVM numéro 200 janvier 2002 Page 90-91SVM numéro 200 janvier 2002 Page 92-93SVM numéro 200 janvier 2002 Page 94-95SVM numéro 200 janvier 2002 Page 96-97SVM numéro 200 janvier 2002 Page 98-99SVM numéro 200 janvier 2002 Page 100-101SVM numéro 200 janvier 2002 Page 102-103SVM numéro 200 janvier 2002 Page 104-105SVM numéro 200 janvier 2002 Page 106-107SVM numéro 200 janvier 2002 Page 108-109SVM numéro 200 janvier 2002 Page 110-111SVM numéro 200 janvier 2002 Page 112-113SVM numéro 200 janvier 2002 Page 114-115SVM numéro 200 janvier 2002 Page 116-117SVM numéro 200 janvier 2002 Page 118-119SVM numéro 200 janvier 2002 Page 120-121SVM numéro 200 janvier 2002 Page 122-123SVM numéro 200 janvier 2002 Page 124-125SVM numéro 200 janvier 2002 Page 126-127SVM numéro 200 janvier 2002 Page 128-129SVM numéro 200 janvier 2002 Page 130-131SVM numéro 200 janvier 2002 Page 132-133SVM numéro 200 janvier 2002 Page 134-135SVM numéro 200 janvier 2002 Page 136-137SVM numéro 200 janvier 2002 Page 138-139SVM numéro 200 janvier 2002 Page 140-141SVM numéro 200 janvier 2002 Page 142-143SVM numéro 200 janvier 2002 Page 144-145SVM numéro 200 janvier 2002 Page 146-147SVM numéro 200 janvier 2002 Page 148-149SVM numéro 200 janvier 2002 Page 150-151SVM numéro 200 janvier 2002 Page 152-153SVM numéro 200 janvier 2002 Page 154-155SVM numéro 200 janvier 2002 Page 156-157SVM numéro 200 janvier 2002 Page 158-159SVM numéro 200 janvier 2002 Page 160-161SVM numéro 200 janvier 2002 Page 162-163SVM numéro 200 janvier 2002 Page 164-165SVM numéro 200 janvier 2002 Page 166-167SVM numéro 200 janvier 2002 Page 168-169SVM numéro 200 janvier 2002 Page 170-171SVM numéro 200 janvier 2002 Page 172-173SVM numéro 200 janvier 2002 Page 174-175SVM numéro 200 janvier 2002 Page 176-177SVM numéro 200 janvier 2002 Page 178-179SVM numéro 200 janvier 2002 Page 180-181SVM numéro 200 janvier 2002 Page 182-183SVM numéro 200 janvier 2002 Page 184-185SVM numéro 200 janvier 2002 Page 186-187SVM numéro 200 janvier 2002 Page 188-189SVM numéro 200 janvier 2002 Page 190-191SVM numéro 200 janvier 2002 Page 192-193SVM numéro 200 janvier 2002 Page 194-195SVM numéro 200 janvier 2002 Page 196-197SVM numéro 200 janvier 2002 Page 198-199SVM numéro 200 janvier 2002 Page 200-201SVM numéro 200 janvier 2002 Page 202