Micro Systèmes n°33 jui/aoû 1983
Micro Systèmes n°33 jui/aoû 1983
  • Prix facial : 21 F

  • Parution : n°33 de jui/aoû 1983

  • Périodicité : mensuel

  • Editeur : Société Parisienne d'Edition

  • Format : (203 x 271) mm

  • Nombre de pages : 198

  • Taille du fichier PDF : 154 Mo

  • Dans ce numéro : spécial NCC'83... les nouveaux produits présentés à Los Angeles.

  • Prix de vente (PDF) : gratuit

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1. EF 6664 UNE RAM DYNAMIQUE DE 65 536 BITS Le circuit EF 6664 est une mémoire vive dynamique rapide de 65 536 bits. Elle est organisée en 65 536 mots de 1 bit et fabriquée dans une technologie HMOS, de haute performance (grille silicium, canal N). Cette nouvelle génération de mémoires dynamiques à alimentation unique de 5 V combine de hautes performances avec un prix peu élevé. Comme le montre la figure A, représentant le « synoptique » de la mémoire, le boîtier ne contient pas uniquement une matrice de cellules mémoire mais aussi un ensemble de circuits assurant une fonction très intéressante  : le multiplexage. Celle-ci permet, en effet, de réduire de moitié le nombre des broches utilisées pour l'adressage. Les broches d'adresse passent ainsi de 16 à 8 lignes. Cela est rendu possible grâce à la présence de deux signaux (RAS pour Row Address Strobe, et CAS pour Column Address Strobe) qui valident tour à tour la partie de l'adresse destinée à décoder une rangée (row) et celle servant à sélectionner une colonne (column). Ainsi l'adresse d'une « cellule » mémoire représentée sur 16 bits peut être décomposée en deux séries de 8 bits décodées l'une après l'autre (broches Ao à A7). Les autres signaux de la mémoire sont habituels. Il faut pouvoir différencier lecture et écriture, ce qui explique la présence du signal « W ». Les données doivent pouvoir « entrer » et « sortir ». Nous trouvons donc les broches « D » (entrée) et « Q » (sortie) pour l'entrée et la sortie d'un bit. Quant au signal « REFRESH », il est destiné en fait à assurer le rafraîchissement de la mémoire lorsque celle-ci est disposée sur une carte alimentée par une batterie de sauvegarde afin de conserver les données après la coupure du courant principal. Le brochage de ce boîtier est donné figure B. SCHEMA SYNOPTIQUE e— vcc Horloge Amplificateur Amplificateur co N Zone mémoire 16 384 bits 5 Zone mémoire 16 384 bits RAS REFRESH D VSS CAS Al Al AS 06 Amplificateurs d'adresse Compteurs Multiplexeurs 1/211 à 1281 Décodeur colonnes• Zone mémoire 16 384 bits 0 1/2 1/2 (1 à 128) Logique [Décodeur lig ne 1/128 Décodeur colonnes Zone mémoire 16 384 lias Horloge Amplificateur Amplificateur ECrilore. W etc RESH Entrée donnée D Sortie donnée w RAS AO A2 Al VCC Q A6 A3 A4 A5 A7. A - Synoptique révélant l'architecture interne de la 1(.i.V EF• doc. Thomson- Fig. B. — Brochage de là mémoire EF 6664 (doc. Thai,. son-Ercis). 106 — MICRO-SYSTEMES Juillet-Août 1983
2. LA SELECTION (ou comment une cellule interne est atteinte) Le coeur d'un boîtier mémoire est constitué d'une ma- au boîtier) permettant la lecture ou l'écriture d'un « 1 » ou trice de cellules élémentaires mémorisant chacune un seul d'un « 0 », ainsi que le fil (externe au boîtier) baptisé W, bit. Les cellules sont disposées selon une structure consti- ordonnant, selon son état, la lecture ou l'écriture de la tuée de lignes et de colonnes (une matrice). donnée. Cette structure matricielle n'est pas propre aux mémoires vives  : elle se retrouve au sein des boîtiers de mémoires statiques ou de mémoires mortes. Nous allons envisager, ci-après, les deux principaux procédés mis en oeuvre pour accéder (en lecture ou en écriture) à l'une des cellules élémentaires. ADRESSES Deux principes sont mis en oeuvre pour sélectionner une AO cellule interne au boîtier mémoire  : la sélection linéaire et Cellules mémolre la sélection par coïncidence. An-1 Selon la technique envisagée par le constructeur, la structure interne de la mémoire est différente. O La sélection linéaire La mémoire est structurée comme le montre la figureC. Les lignes du bus d'adresses aboutissent à un décodeur interne. Ainsi, pour chaque adresse présentée à son entrée, ce décodeur sélectionne une de ses sorties qui active alors une ligne complète de cellules. Dans le cas d'une lecture, les données (« 0 » ou « 1 ») , contenues dans chacune des cellules de la ligne considérée, sont transférées sur les colonnes, c'est-à-dire sur le bus de données de la mémoire. Evidemment, lors d'une écriture (cas d'une RAM), les données à stocker doivent être positionnées sur ce même bus parallèlement à l'activation d'une ligne de cellules. Ce type de sélection impose donc une structure de la mémoire en mots. Ainsi, celle présentée figure C peut emmagasiner 2n mots de 4 bits. ! 11 erg 2 FUI Bit 4 DONNEES Fig.C. — La sélection linéaire. Le oL,.,,u:, icctionne l'une de ses sorin... qui active une rangée de cellules. C'est donc un mot qui est délivré par cette structure. AO Sélection par coïncidence Il s'agit de déterminer une ligne i et une colonne j afin d'accéder à la cellule interne référencée C1. Dans ce but, les n lignes d'adresses qui aboutissent au boîtier sont séparées en deux groupes ((fig. D)  : • le premier réunissant les lignes Ao et Ap-1 appliquées à un décodeur détermine la ligne de la cellule considérée ; • le second, formé des lignes Ap, Ap+1..., An-1 appliquées à un second décodeur, sélectionne la colonne de cette même cellule. L'accès à une cellule de base peut être nécessaire soit au stockage d'une donnée binaire, soit à sa lecture. C'est pourquoi, en plus des lignes d'adressage des cellules, nous pouvons remarquer l'existence de deux lignes (internes 21..4/7\DÉCODEUR COLONNES DONNE L S An Ap-1 Fig. D. — La sélection par coïncidence. Ici une cellule interne est directement adressée par une ligne et une colonne. La donnée issue de cette structure est donc un bit. Juillet-Août 1983 MICRO-SYSTEMES — 107



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