Micro Systèmes n°25 sep/oct 1982
Micro Systèmes n°25 sep/oct 1982
  • Prix facial : 18 F

  • Parution : n°25 de sep/oct 1982

  • Périodicité : mensuel

  • Editeur : Société Parisienne d'Edition

  • Format : (213 x 271) mm

  • Nombre de pages : 246

  • Taille du fichier PDF : 178 Mo

  • Dans ce numéro : dossier sur la peau artificielle et le laser.

  • Prix de vente (PDF) : gratuit

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Le condensateur « parasite » d'un transistor MOS est mis à Etude profit pour réaliser une mémoire « dynamique ». mémoire réelle (et très couramment diffusée), la 2102 d'Intel. La RAM 2102 La cellule de base fait partie d'une structure complexe représentée figure 14. Analysons comment s'effectuent respectivement une opération d'écriture et une opération de lecture. Une opération d'écriture... Après la mise en place d'une adresse (Ao, AI... A9) sur les décodeurs, une colonne j et une rangée i sont déterminées. Dans une opération d'écriture, quatre sinaux sont appliqués sur la porte (ET à 4 entrées)  : • Chip Enable (CE) = 1  : ce signal sélectionne le boîtier. Il est é alement appliqué sur les portes et CI dont les sorties sont annihilées lorsque CE = 0. Dans ce cas, les transistors MOS T1 et T'1 sont bloqués, et la sortie « Data out » s'avère être en état de « haute impédance » (afin de faciliter le câblage du boîtier sur un bus unique).• Write = 1  : ce signal spécifie une écriture.• Data in  : donnée à introduire (« 0 » ou « 1 »).• Sélection colonne (SC)  : ce signal est issu directement du décodeur (ligne j). Si toutes ces conditions sont réunies, le signal obtenu à la sortie de la porte Ci est la « donnée à mémoriser ». Elle est transmise à un « tampon » d'écriture. Si la valeur de « Din » correspond à « 0 », le tampon d'écriture engendre les niveaux suivants sur les lignes d'écriture/lecture  : E/L « 0 » = « 1 » ; E/L « 1 » = « 0 ». Ces lignes étant communes à toutes les cellules de la colonne sélectionnée, seule celle liée à la rangée choisie (i) appréhendra les informations présentes. Par contre, si la donnée « Din » prend la valeur « 1 », le tampon d'écriture place sur les lignes d'écri- Vers autres plans membres 77 Dl 02 D3 04 05 06 07 AO Al — A2 Plan menvere et DO Vers autres plans eS 4- C$ enM 0 COLONNES 0..., A3 A4 AS Deo Fig. 12. — Des mots de n bits peuvent être mémorisés par une structure constituée de n plans d'un bit. VCC + 5V CHARGE Sélection rangée T3 T4 T1 T2 E/L d'un 0 E/L d'un „ 1 Fig. 13 a. — Une cellule MOS. CHARGE Fig. 13 b  : — Représentation d'une cellule élémentaire à transistors MOS. ture/lecture des niveaux inverses aux précédents  : E/L « 0 » = « 0 » ; E/L « 1 » « 1 » et une de lecture De même que pour l'écriture, une adresse (Ao, Ai A9) sélectionne une colonne j et une rangée i (les transistors T3 et T4 de la figure 13 sont conducteurs). Deux cas se produisent selon le conténu de la cellule Ci.,  : • C1 = 0 (Ti bloqué et T2 conducteur) ; le courant traversant la charge de T1 se referme sur la ligne E/L « 0 » qui est alors portée au niveau « 1 ». Quant à elle, la ligne E/L « 1 » est portée au niveau « 0 ». (T2 et T4 sont conducteurs.) 88 — MICRO-SYSTEMES Septembre-Octobre 1982
Les mémoires à semi-conducteurs  : II — Les dispositifs à lecture/écriture Etude E/1 En 1" Chip enable Write Data in Sélechon colonne TAMPON D'ECRITURE Vers les 31 autres colonnes Bus donnée entrée Read Chip enable Selection colonne Chip enable Vers les 31 autres ramées Bus donnée sortie a' ? O D O + vCC T1'T1 vss Data out Fig. 14. — La cellule de base d'une RAM « 2102 » s'intègre dans une structure plus complexe. AO 0 Al A20—> A30-1> A 4 0—> AO AO DECODEUR DE RAN G EES MATRICE DE 1024 CELLULES ORGANISEES EN 32 RANGEES ET 32 COLONNES VCC 4- Masse R/TV° Data in o Write Read CONTROLE D'ENTREE DES DONNEES CIRCUITS E/L ASSOCIES AUX COLONNES DECODEUR DE COLONNES 1 ! Data Dut CE0-1> A5 A5 A A A A A5 A6 A7 A8 A9 Fig. 15. — Structure générale de la mémoire vive « 2102 a crime'. Septembre-Octobre 1982 MICRO-SYSTEMES — 89



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