Micro Systèmes n°24 jui/aoû 1982
Micro Systèmes n°24 jui/aoû 1982
  • Prix facial : 18 F

  • Parution : n°24 de jui/aoû 1982

  • Périodicité : mensuel

  • Editeur : Société Parisienne d'Edition

  • Format : (213 x 271) mm

  • Nombre de pages : 166

  • Taille du fichier PDF : 124 Mo

  • Dans ce numéro : dossier sur les mémoires à semi-conducteurs.

  • Prix de vente (PDF) : gratuit

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Une mémoire « morte » conserve ses informations même après disparition de sa tension d'alimentation. Ftude Fig. 36. — Souvent, huit mémoires d'un bit sont regroupées pour constituer une mémoire « à octets ». Dans le cas où plusieurs mémoires (chacune, par exemple, déjà constituée en mémoire à octets) doivent être connectées au même bus de données, afin de constituer un système de plus grande capacité, il faut pouvoir accéder au boîtier dans lequel est stockée l'information désirée, sans interagir avec les autres. C'est le rôle des signaux de sélection CS (Chip Select) qui, lorsqu'ils sont positionnés à un niveau actif, déterminent le boîtier choisi. Ainsi la mémoire représentée figure 4 est active lorsque CS0 = 1 et que CS1 = O. Si l'une de ces broches n'est pas positionnée à son niveau actif, le bus de données issu de la mémoire est en état de « haute impédance », c'est-à-dire qu'il est électriquement déconnecté du système dans lequel il s'intègre. Dans le cas d'une RAM, une ligne supplémentaire doit être utilisée afin de définir la mémoire en lecture ou en écriture. Cette lig_Lie est généralement baptisée R/W, ce qui signifie que si elle est portée au « 1 » logique, elle est définie en lecture, le « 0 » logique la définissant en écriture. Un mémoire morte nécessite, quant à elle, une double confirmation  : en plus des signaux de sélection CS, un ordre de lecture doit être appliqué à la broche souvent CSO• CS1• Vers les autres boîtiers• BUS D'ADRESSES BOÎTIER MÉMOIRE BUS DE DONNEES R 0E (RAM) (ROM) Fig. 4. — Un boîtier mémoire typique. L'adresse de la donnée est positionnée sur les lignes prévues à cet effet, celles-ci transitent aussi sur son bus. Dans le cas d'une RAM, une ligne (R/W) définit le boîtier en lecture ou en écriture. Dans le cas d'une ROM, seul un ordre de lecture doit être émis sur la broche 0E. Toutes ces opérations ne peuvent régulièrement se dérouler que si le boîtier est activé grâce aux lignes de sélection CS (Chip Select). désignée OE (Output Enable  : sortie validée). Dans la pratique, cette entrée est directement reliée à la ligne « Read » (lecture) du microprocesseur. Ainsi, l'adresse ayant été positionnée sur son bus, les lignes de sélection (CS) portées à leurs niveaux actifs, et l'ordre de lecture (0E) donné, il se passe un certain temps avant que le contenu de la case mémoire ainsi adressée ne parvienne effectivement au bus de données. Cet intervalle de temps, écoulé entre l'instant où les adresses sont positionnées de façon stable et le moment où la donnée contenue à cette adresse est disponible sur le bus correspondant, constitue une caractéristique fondamentale appelée « temps d'accès »  : Tacc. Le temps d'accès est généralement spécifié par le constructeur, 48 — MICRO-SYSTEMES Juillet-Août 1982
Les mémoires à semi-conducteurs Etude Fig. 5. - Chronogramme utilisé par les constructeurs pour spécifier le temps d'accès d'une mémoire. Cette caractéristique est fondamentale et doit être en rapport avec, par exemple, le microprocesseur utilisé. sous la forme d'un chronogramme tel que celui représenté figure 5. Selon leurs technologies de fabrication (MOS ou TTL), le temps d'accès des mémoires commercialisées peut varier dans un rapport allant de 1 à 10, et ce pour des boîtiers de même capacité mémoire. Les tableaux l et 2 vous permettront de comparer les caractéristiques électriques de quelques mémoires mortes commercialisées. Notez que la capacité et la consommation des boîtiers sont, en plus du temps d'accès, des éléments indispensables à la conception d'un ensemble électronique. La capacité relève de l'application envisagée. En effet, un petit système dit « d'évaluation » se contente de 1 K-octets de mémoire vive et de 1 à 2 K-octets de mémoire morte pour des applications courantes. Dans le cas d'un système plus complexe mettant en oeuvre un langage évolué, la capacité de la RAM devra être en rapport  : 16 K-octets faciliteront l'écriture de la majorité des programmes rédigés en BASIC. Sélection d'une cellule mémoire Fig. 6. - La sélection linéaire. Le décodeur sélectionne une de ses sorties qui active une rangée de cellules. C'est donc un mot qui est délivré par cette structure. Deux principes sont mis en oeuvre pour sélectionner une cellule interne au boîtier mémoire  : la sélection linéaire et la sélection par coïncidence. Selon la technique envisagée par le constructeur, la structure interne de la mémoire est différente. La sélection linéaire Une mémoire du type PROM réalisée en technologie TTL Schottky d'une capacité de 8 K- bits. (Doc. R.T.C.) La mémoire est structurée comme le montre la figure 6. Les lignes du bus d'adresses aboutissent à un décodeur interne. Ainsi pour chaque adresse présentée à son entrée, ce décodeur sélectionne une de ses sorties qui active alors une ligne complète de cellules. Dans le cas d'une lecture, les données (« 0 » ou « 1 ») contenues dans chacune des cellules de la Juillet-Août 1982 MICRO-SYSTEMES — 49



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